Встановлено механізми тунелювання в двобар'єрних резонансно-тунельних діодах (ДБРТД) з широким спейсерним шаром. Показано, що виявлені осциляції струму та ефект власної бістабільності добре узгоджуються з запропонованою теоретичною моделлю квантової інтерференції. Досліджено механізм модифікації транспортних явищ ДБРТД під дією напруги, індукованої електричним полем надгратки. Встановлено кореляцію між електрофізичними, оптичними, технологічними параметрами та вивченими квантово-розмірними ефектами в p - n діоді з двома зв'язаними дельта легованими шарами. Вивчено особливості явищ переносу p - n діода з двобар'єрною структурою, в ямі якої самоузгоджено сформовані квантові точки. Встановлено механізми формування осциляційної структури та бістабільності як S-, так і Z-виду, які добре описуються в рамках запропонованої теоретичної моделі. Визначено окремо вплив ефектів на гарячих носіях струму та саморозігріву зразка під дією ефекту Джоуля на транспортні явища у AlGaN/GaN гетероструктурі. Продемонстровано найнижчий рівень фазового шуму у розроблених нових видах високочастотних осциляторів (23 ГГц та 10 ГГц) у порівнянні з рівнями фазового шуму комерційних осциляторів.

  Скачати повний текст